[뉴스투데이=전소영 기자] 반도체 업계가 부진의 늪에 빠져 올해 상반기에 보릿고개를 겪은 가운데 SK하이닉스는 고부가 제품을 앞세워 하반기 턴어라운드(Turnaround: 실적개선)에 대한 기대감을 키워왔다.

 

그리고 올해 3분기 기대감이 현실이 되는 실적 변화를 맞이했다.  첨단 기술력과 제품 경쟁력으로 매출이 늘어나면서 영업손실 규모가 줄어들었기 때문이다. 특히 D램은 프리미엄 제품 판매 호조에 힘입어 2개 분기 만에 흑자로 돌아서는 데 성공했다. 

 

28일 SK하이닉스에 따르면 2023년 3분기 실적은 매출 9조662억원과 영업손실 1조7920억원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억원(순손실률 24%)으로 집계됐다. 직전 분기인 2분기와 비교해 매출은 24% 늘고 영업손실은 38% 줄었다. 

 

SK하이닉스 관계자는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 늘어나 회사 경영실적이 지난 1분기를 저점으로 계속 개선되고 있다”며 “특히 대표적인 AI(인공지능)용 메모리인 HBM3, 고용량 더블데이터레이트(DDR)5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품 판매가 호조세를 보였다”고 설명했다. 

 

무엇보다 SK하이닉스는 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자로 돌아선 데 큰 의미를 두고 있다.

 

올해 3분기는 D램과 낸드 모두 판매량이 증가한 가운데 전체 매출의 67%는 D램, 27%는 낸드가 거머쥐었다.  특히 D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 증가로 2분기보다 출하량이 약 20% 증가했고 평균판매가격도 약 10% 오른 것으로 파악됐다.

 

 

업계에서도 향후 SK하이닉스의 수익성 개선과 시장 내 경쟁력 강화의 핵심 키(Key)로 DDR5, HBM 등 고용량·고사양 D램을 지목하고 있다.

 

김형태 신한투자증권 연구원은 뉴스투데이에 “DDR5, HBM 수요가 공급을 웃돌고 있는 것으로 보인다"며 "현재 HBM은 이미 내년 물량까지 판매가 끝나 추가 생산 논의가 진행 중"이라고 설명했다. 

 

김형태 연구원은 “특히 HBM은 이전 세대 및 레거시 체계 제품과 비교해 기술 전환 사이클이 빠르게 나타나고 있다”고 말했다.

 

그는 또 “램은 최신 제품인 DDR5 비중이 DDR4를 앞서는 크로스오버 현상이 나타나고 있다"며  업계 선두주자가 혜택을 거머쥐는 현재 시장 구조가 내년에도 지속될 것임을 내비쳤다.

 

김록호 하나증권 연구원은 “SK하이닉스는 D램 업체 가운데 가장 먼저 흑자 전환했고 DDR5 비중이 이미 절반을 초과해 향후 수요 대응에 가장 최적화돼 있다”며 “SK하이닉스의 HBM은 주요 고객사 사이에서 독보적 입지를 차지하고 있어 2024년 연간으로도 경쟁 우위가 유지될 가능성이 크다”고 평가했다.

 

김록호 연구원은 “D램 이익 창출을 토대로 내년 2분기에는 회사 전체가 흑자로 돌아설 것으로 기대된다"고 내다봤다. 

 

그렇다고 안심할 수는 없다. 

 

글로벌 경제 불확실성이 해소되지 않아 메모리 수요 회복도 연초 예상했던 수준보다 늦어지고 있기 때문이다.

 

그러나 반도체 업계는 극심한 다운턴(하강국면)을 지난 본격적인 회복세에 진입했다. 이에 따라 올해 반도체 예상 성장률은 D램은 한 자릿수 중반, 낸드는 한 자릿수 후반 수준이다. 내년 예상 수요 성장률은 D램과 낸드 모두 10% 후반대다. 

 

이에 따라 SK하이닉스는 시장 수요 성장률이 넘는 연간 출하 성장률 기록을 목표로 사업 전략을 펼칠 방침이다. 특히 AI용 서버 수요 강세 지속과 모바일 신제품 출시 효과 등으로 고용량·고사양 메모리 제품 수요 증가에 집중하겠다는 얘기다. 

 

 

SK하이닉스가 고용량·고사양 메모리 수요 확대에 유독 자신감을 보이는 데는 그만한 이유가 있다.

 

대표적인 고용량·고사양 메모리로 분류되는 제품이 HBM과 DDR5인데 이들 모두 SK하이닉스가 독자 기술력으로 반도체 시장에서 영향력을 확보하고 있는 영역이기 때문이다. 

 

SK하이닉스는 2021년 10월 업계 최초로 4세대 제품 ‘HBM3’를 개발한 후 지난해 6월 업계 최초로 양산에 들어갔다.  또한 지난 4월에는 세계 최초로 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 갖춘 HBM3를 개발하는 데 성공했다. 

 

최근 삼성전자가 주요 고객사에 HBM3 납품 계약을 추진하고 있는 것으로 알려졌지만 현재로서는 반도체 업계에서 HBM3 납품이 가능한 업체는 사실상 SK하이닉스가 유일하다는 평가가 나온다.

 

DDR5도 SK하이닉스가 한발 앞서 대응했다. 

 

SK하이닉스는 2018년 11월 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발했다. 이후 SK하이닉스는 인텔 등 주요 파트너에 샘플을 공유하고 다양한 테스트와 동작 검증, 호환성 검증 등을 거쳐 2020년 10월 세계 최초로 DDR5를 출시했다. 업계에서는 DDR5 시장점유율에서 K하이닉스가 삼성전자보다 앞서 있는 것으로 보고 있다.

 

D램 시장은 삼성전자가 지난 수 십년간 지켜온 텃밭이긴 하지만 HBM과 DDR5 만큼은 현재 SK하이닉스가 우위를 점하고 있는 양상이다.

 

이에 따라 SK하이닉스는 4분기에 DDR5 판매를 늘려 직전 분기 대비 약 10% 수준으로 출하량을 늘릴 계획이다. 

 

또한 회사가 경쟁력을 확보한 DDR5, LPDDR5, HBM 등 고용량·고사양 제품도 생산을 추진 중이다.

 

이에 따라 내년에도 1anm(4세대)와 1bnm(5세대) 중심으로 공정을 전환하고 HBM 생산능력을 확보하기 위해 TSV(미세 구멍을 뚫어 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 방식) 공정 투자를 최우선으로 검토 중이다. 

 

SK하이닉스 관계자는 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 인프라 혁신 기업으로 위상을 확고히 해 나갈 것”이라며 “앞으로 HBM, DDR5 등 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들로 기존과는 다른 새로운 시장을 창출하고 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자 입지를 지속적으로 강화할 것”이라고 말했다.