삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작한다. [사진 = 삼성전자]
[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 본격적으로 업계 최선단 12나노급 D램을 양산한다.
삼성전자는 18일 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세공정 경쟁에서 기술경쟁력을 공고히 한다고 밝혔다.
이는 이전 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐으며, 소비 전력은 약 23% 개선됐다
특히 소비 전력 개선으로 데이터센터 등의 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 때문에 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극적인 글로벌 IT 기업들에게 최상의 선택지가 될 것으로 기대된다.
또 이 제품은 유전율(K)이 높은 신소재가 적용돼 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량이 확대됐다. D램의 커패시터 용량이 증가하면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분에 이롭다.
이 밖에 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 명확하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다는 게 삼성전자의 설명이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 토대로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”고 설명했다.
이어 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보하는 것은 물론 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화함으로써 D램 시장을 지속적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.
