[뉴스투데이=전소영 기자] 삼성전자가 업계 최초로 12나노급 DRAM(D램) 개발에 성공했다.
삼성전자는 21일 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 끝냈다고 밝혔다.
유전율(K)이 높은 신소재를 활용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 키우고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 적용해 업계 최선단의 공정을 완성했다. 또 티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 통해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다.
이를 통해 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 높아졌다. 아울러 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 참여하고 있는 세계적인 IT 기업들에 최상의 선택지가 될 것으로 기대를 모은다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 늘리는 한편 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제 역할을 하게 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 기반응로 개발된 이번 제품은 우수한 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 이바지할 것”이라고 말했다.
