[뉴스투데이=전소영 기자] SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 손을 잡았다.

19일 SK하이닉스에 따르면 양사는 최근 대만 타이베이에서기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. 

SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이다.

SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 낼 것”이라며 “고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 기반으로 메모리 성능의 한계를 넘어설 것”이라고 강조했다. 

양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 적용되는 베이스 다이(Base Die)의 성능을 개선한다. 

HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어하는 역할 한다. 

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 제작해 왔으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 

회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구를 충족시켜줄 맞춤형(Customized) HBM을 생산할 계획이다.

양사는 또 SK하이닉스의 HBM과 TSMC가 특허권을 갖고 있는 ‘CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)’ 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다.

김주선 SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra담당)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하고 글로벌 고객들과의 개방형 협업(Open collaboration)에도 속도를 낼 것”이라고 말했다.

이어 “앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼(Custom Memory Platform) 경쟁력을 향상시켜 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’의 위상을 확고히 할 것”이라고 강조했다.

케빈 장(Kevin Zhang, 张晓强) TSMC  수석부사장은 “TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지해 최선단 로직 칩과 HBM을 합친 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다”고 설명했다.

이어 “HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공하겠다”고 말했다.