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[뉴스투데이=오세은 기자] 삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용해 D램을 양산할 수 있는 채비를 갖췄다고 25일 밝혔다.

그동안 시스템 반도체 분야에만 적용한 EUV 공정을 차세대 D램 제품에도 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파한다는 계획이다.

삼성전자는 이미 EUV 공정을 적용한 1세대 10나노(1나노: 10억분의 1미터) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다.

EUV 노광 기술은 짧은 파장의 극자외선으로 회를 세밀하게 그릴 수 있어 수율을 높일 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급 D램 양산 기술’을 개발하고 있다. 회사는 EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높아진다고 설명했다.

삼성전자는 내년 출시를 목표로 현재 EUV 공정으로 4세대 10나노급 DDR5를 양산하는 기술을 개발 중이다. 회사는 이후 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 공고히 해 나가겠다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 말했다.